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韓報告:大多數(shù)半導體技術(shù)被中國趕超

日期:2025-02-25 閱讀:243
核心提示:據(jù)韓聯(lián)社23日報道,韓國科技評估與規(guī)劃研究院當天發(fā)布的調(diào)查報告顯示,韓國絕大多數(shù)半導體技術(shù)已被中國趕超。該研究院針對39名韓

據(jù)韓聯(lián)社23日報道,韓國科技評估與規(guī)劃研究院當天發(fā)布的調(diào)查報告顯示,韓國絕大多數(shù)半導體技術(shù)已被中國趕超。該研究院針對39名韓國專家進行問卷調(diào)查的結(jié)果顯示,截至去年,韓國所有半導體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國。若將技術(shù)最先進國家的水平設(shè)為100%,韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片技術(shù)領(lǐng)域為90.9%,低于中國(94.1%);在高性能、低功耗的人工智能(AI)芯片領(lǐng)域,韓國(84.1%)不及中國(88.3%)。

在功率半導體方面,韓國為67.5%,中國高達79.8%;在新一代高性能傳感技術(shù)方面,韓中兩國分別為81.3%和83.9%;半導體先進封裝技術(shù)方面,兩國均為74.2%。據(jù)報道,在針對半導體領(lǐng)域整體技術(shù)生命周期的問卷調(diào)查中,韓國在工藝和量產(chǎn)方面領(lǐng)先于中國,但在技術(shù)、原創(chuàng)及設(shè)計領(lǐng)域落后于中國。而從商業(yè)化角度來看,韓國僅在高集成度、低阻抗存儲芯片和先進封裝方面領(lǐng)先中國。

值得關(guān)注的是,參與此次調(diào)查的專家在2022年認為韓國在高集成度、低阻抗存儲芯片、先進封裝以及新一代高性能傳感技術(shù)等方面均領(lǐng)先中國,但僅兩年就改變了看法。專家們認為,韓國半導體技術(shù)水平未來面臨的問題主要有核心人才流失、AI芯片技術(shù)、中美競爭、本國優(yōu)先政策、供應(yīng)鏈本地化等,其中只有AI芯片技術(shù)可能對韓國的技術(shù)水平產(chǎn)生積極影響。

 韓國《首爾經(jīng)濟》23日注意到,中國在美國施加的巨大壓力下仍取得了這樣的成果。韓國YTN電視臺評論稱,推動“半導體崛起”的中國在10年間持續(xù)進行國家層面的大規(guī)模投資,相關(guān)成果逐漸顯現(xiàn)。“尤其令人擔憂的是”,韓企在具有優(yōu)勢的存儲器領(lǐng)域和戰(zhàn)略價值較高的傳感器領(lǐng)域,時隔兩年被中國反超。韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會專務(wù)理事安基鉉(音)表示,中國投入相當多的研究開發(fā)費用支持學?;蜓芯繖C構(gòu),以確保人才和原創(chuàng)技術(shù),形成了整個產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

(來源:環(huán)球時報)

 

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