2025年8月14日，IEEE國際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)（ITRW）在北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）召開專題會(huì)議。會(huì)議由Jing Zhang（Executive Secretary）主持，ITRW主席Victor Veliadis、秘書長Guoqi Zhang（Secretary General）等專家出席會(huì)議，會(huì)議重點(diǎn)探討了寬禁帶半導(dǎo)體器件在高壓設(shè)備、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的重大進(jìn)展、應(yīng)用挑戰(zhàn)與市場潛力。
會(huì)議聚焦全球協(xié)作與中國機(jī)遇。與會(huì)專家深入探討了ITRW最新進(jìn)展與聯(lián)盟主導(dǎo)的國內(nèi)路線圖的協(xié)同，高度評(píng)價(jià)兩者間形成的良好協(xié)同效應(yīng)。ITRW主席Victor Veliadis博士詳細(xì)介紹了自蘇州會(huì)議以來的工作成果及未來合作計(jì)劃。本次會(huì)議是CASA協(xié)調(diào)國內(nèi)專家團(tuán)隊(duì)首次以工作組形式參與ITRW事務(wù)。根據(jù)ITRW規(guī)則，中國專家已加入各技術(shù)工作組，覆蓋襯底/外延、封裝模塊、SiC/GaN應(yīng)用等領(lǐng)域。展望未來，聯(lián)盟將繼續(xù)組織和推動(dòng)技術(shù)路線圖制定工作，更好發(fā)揮平臺(tái)作用，促進(jìn)中國產(chǎn)學(xué)研界參與國際組織工作，在全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展中發(fā)揮更大作用。
國際寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖ITRW（International Technology Roadmap for Wide Band Gap Power Semiconductors）是美國電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)電力電子學(xué)會(huì)(PELS)發(fā)起，世界上主要的功率半導(dǎo)體制造國家的相關(guān)協(xié)會(huì)包括美國能源部等所資助的組織，ITRW的目的是培養(yǎng)和促進(jìn)寬禁帶功率半導(dǎo)體在全球范圍內(nèi)的科研、教育、創(chuàng)新、應(yīng)用等多方面的發(fā)展，確保寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)品在控制成本的基礎(chǔ)上進(jìn)行性能演進(jìn)，從而持續(xù)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康和成功。 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）于2018年發(fā)布了具有指導(dǎo)意義的《第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖（2018）》，目前2025版技術(shù)路線圖草稿在編制過程中，計(jì)劃于今年底前發(fā)布。該技術(shù)路線圖的編寫不僅是為了代表中國在國際領(lǐng)域發(fā)聲，更重要的是通過參與此項(xiàng)活動(dòng)，加強(qiáng)國際合作來提升自身技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)地位，成為全球該領(lǐng)域的重要參與者和貢獻(xiàn)者。
