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CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)

揚(yáng)杰科技車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開(kāi)工

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁俊：新型多級(jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

揚(yáng)杰科技10億元SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開(kāi)工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透：破解新能源“卡脖子”技術(shù)

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)將在廣州南沙舉辦

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來(lái)，突破功率極限，開(kāi)啟能效革命

CSPSD 2025前瞻|愛(ài)發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì)：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

最新報(bào)告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：功率MOSFET的非嵌位感性開(kāi)關(guān)

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

丹佛斯南京功率模塊園區(qū)正式啟用總投資超8億元

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級(jí)功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

捷捷微電：6英寸功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正處于產(chǎn)能爬坡期，月產(chǎn)出已達(dá)5萬(wàn)片

總投資5100余萬(wàn) 芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工

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