天眼查顯示，上海新微半導體有限公司近日取得一項名為“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”的專利，授權公告號為CN113380884B，授權公告日為2024年6月4日，申請日為2021年6月8日。

本發(fā)明提供了一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法，所述HEMT器件的柵極包括：柵腳，所述柵腳位于HEMT器件的源極與漏極之間，所述柵腳至少是兩排；柵帽，所述柵帽位于所述柵腳上方，并與所述柵腳連接。本發(fā)明提供的柵極包括至少兩排柵腳，增加了柵極下方溝道內的電子散射路徑，降低了電子能量，減少了熱電子數(shù)量，抑制了熱載流子效應，提高了HEMT器件的線性度。