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新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺

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安世半導(dǎo)體與京瓷安施合作生產(chǎn)650V碳化硅整流二極管模塊

三安半導(dǎo)體推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，發(fā)布8英寸碳化硅襯底！

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英飛凌發(fā)布650VCoolSiC混合模塊系列產(chǎn)品

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

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