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CSPSD 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

重慶芯聯(lián)微電子申請掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

蘇州高視半導(dǎo)體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利，降低晶圓缺陷的檢測成本

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評第二次公示

博視像元獲1.3億元A輪融資，產(chǎn)品應(yīng)用于晶圓缺陷檢測等領(lǐng)域

CASICON晶體大會前瞻|山東大學徐現(xiàn)剛：低缺陷碳化硅單晶進展及展望

CASICON晶體大會前瞻 |創(chuàng)銳光譜金盛燁：瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應(yīng)用

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

御微半導(dǎo)體首臺掩?；?span id="kzohcqz" class="highlight">缺陷檢測產(chǎn)品交付國內(nèi)先進掩模廠

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

高視半導(dǎo)體納米級圖形晶圓缺陷檢測量產(chǎn)設(shè)備出口馬來西亞頭部客戶

IFWS 2023│中國科學院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究

IFWS 2023│廈門大學徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

IFWS 2023│清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測技術(shù)

廈門大學徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

華工科技2022年營收凈利雙增 SiC襯底外觀缺陷檢測設(shè)備實現(xiàn)國產(chǎn)替代應(yīng)用

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無缺陷最大直徑超過204毫米

英諾激光：目前公司產(chǎn)品在芯片制造領(lǐng)域的應(yīng)用為晶圓加工缺陷檢測、碳化硅退火等制造工序

澳大利亞格里菲斯大學Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

天津工業(yè)大學于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析

臺積電稱EUV技術(shù)讓5納米芯片不良率反低于7納米

仍存“缺陷”！英特爾7nm芯片生產(chǎn)時間推遲半年上市

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

ASML首款用于5nm制程的多光束檢測工具問世

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