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國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

北京量子院徐洪起團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)器件研究中取得進(jìn)展

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

牛津儀器邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

睿勵(lì)科學(xué)儀器完成近5億元戰(zhàn)略融資

【IFWS2024】化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用分會日程公布

聯(lián)訊儀器邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024

南京南瑞半導(dǎo)體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

納芯微與大陸集團(tuán)合作，聯(lián)合開發(fā)汽車壓力傳感器芯片

光谷機(jī)器人生態(tài)創(chuàng)新中心啟動，首批高校和企業(yè)入駐

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

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