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《Nature》：金剛石中氮空位中心系綜的自旋擠壓！

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復與增強電學性能的應用

極鉬芯科技攜手南京大學榮登《Science》！突破二維半導體單晶制備關鍵技術

深圳平湖實驗室與西安理工大學合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

首次！我國芯片領域取得新突破

成本直降98%！微合金化復合焊片：媲美燒結銀性能的功率半導體封裝新技術

天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

新突破│鎵仁半導體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進展！

上海大學張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

吉林大學團隊發(fā)表金剛石 n 型摻雜最新成果

突破12英寸！科友半導體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導體薄膜外延生長

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北理工課題組在低維偏振熱輻射納米光源方面取得新進展

北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領域取得突破性進展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

我國科學家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學化學系團隊合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國科學家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

南京大學王欣然教授團隊Nature Materials：實現(xiàn)晶圓級二維半導體堆垛調(diào)控新進展

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

刷新紀錄！鄭州大學實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

稀土卡關危機！中國限制出口德國車廠恐停工

南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

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