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新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

廈大、華為合作，實(shí)現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

清華發(fā)布新Nature，實(shí)現(xiàn)光電融合新突破！

氫能源汽車下的技術(shù)變革，芯鎂信突破催化燃燒式氫氣傳感器車載格局

一體化芯片同時(shí)集成激光器和光子波導(dǎo)，有望催生更精確原子鐘實(shí)驗(yàn)

中科院宣布，光計(jì)算芯片領(lǐng)域新突破！

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

補(bǔ)盲激光雷達(dá)，角分辨率越小越好嗎？

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

打破電動(dòng)汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級(jí)？

我國研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進(jìn)展

華為公布量子芯片新專利，若實(shí)現(xiàn)商用或革新當(dāng)下硅基芯片技術(shù)

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

AMD計(jì)劃加快CPU及GPU規(guī)格迭代，將全面導(dǎo)入chiplet技術(shù)

? Wolfspeed：采用碳化硅技術(shù)，滿足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

中國芯片率先將量子技術(shù)引入手機(jī)芯片，以差異化競爭優(yōu)勢挑戰(zhàn)高通

2個(gè)數(shù)量級(jí)提速，湖南大學(xué)自研“存算一體”非馮·諾依曼類腦芯片架構(gòu)

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

尋找合適的半導(dǎo)體技術(shù)，解決數(shù)據(jù)中心電源挑戰(zhàn)

又2項(xiàng)，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

牛津大學(xué)研發(fā)出特殊藍(lán)寶石光纖傳感器，破解了長達(dá)20年的技術(shù)瓶頸

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