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能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

浙江大學(xué)團隊Nat.Commun.：量子點LED大突破！亮度翻倍，光效超國標，2035年照明技術(shù)提前實現(xiàn)！

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時代

南京再迎半導(dǎo)體領(lǐng)域重磅盛會！6月20日啟幕，共話半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機遇與挑戰(zhàn)

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實現(xiàn)毫米波高速成像

美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

Science：AI驅(qū)動閉環(huán)設(shè)計，加速高性能有機半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)，3天發(fā)3篇頂刊！

東南大學(xué)，Nature Electronics！

中機新材——團聚金剛石技術(shù)，賦能晶圓減薄新高度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

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水稻“生出”半導(dǎo)體材料，我國團隊實現(xiàn)了！

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

國內(nèi)高校實現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學(xué)家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

光谷光通信傳輸最新成果，又破世界紀錄！

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機芯片制造

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗證

廈門大學(xué)康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

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