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中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

集成電路學(xué)院功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍(lán)光激光器

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

廈門大學(xué)與三安光電關(guān)于大功率激光器壽命研究取得新進(jìn)展

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進(jìn)展

從三種充電方式，解鎖不同功率電動汽車充電樁設(shè)計方案全攻略

中國科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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