近日，睿創(chuàng)微納控股子公司睿思微系統(tǒng)（煙臺(tái)）有限公司（簡(jiǎn)稱“睿思微系統(tǒng)”）在GaN基大功率S波段微波功率放大器的研究中取得重要進(jìn)展。研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)AlGaN/GaN HEMT器件在高溫、大功率應(yīng)用場(chǎng)景下性能退化的物理機(jī)制，通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，成功將 PA（功率放大器）的增益提高 1dB，效率提升 2.6%。此次在GaN基大功率微波功率放大器領(lǐng)域取得的突破，為后續(xù)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。