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推薦技術材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應用

日本京都大學成功演示SiC在350°C下也能工作

郭浩中教授、劉新科研究團隊在Micro-LED背光模組研究中獲得新進展，均勻度性能提升32%

均勻度提升32% Micro-LED背光模組最新技術進展

成功案例分享：車載行車記錄儀的電路保護

國產(chǎn)車規(guī)級芯片發(fā)展現(xiàn)狀、問題及建議

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術報告正式立項

大功率半導體技術現(xiàn)狀及其進展

南京大學 | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質結的多功能半浮柵晶體管

向單芯片的GaN器件進軍

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天津大學馬凱學團隊在5G/6G毫米波技術取得新進展

上海有機所在阻轉異構類有機半導體材料與器件研究中取得進展

國家納米科學中心在自旋分子存儲器方面取得新進展

蘇州醫(yī)工所董建飛課題組在數(shù)據(jù)驅動的學習控制方面取得研究進展

南科大潘權團隊在高速通信芯片設計領域取得系列新成果

上海光機所提出可見激光材料暗化問題解決新方案

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應用方面取得進展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質集成方面取得新進展

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碳化硅功率器件技術綜述與展望

清華大學團隊首次實現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管

瀾起科技：整個DDR5相關芯片價值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

電裝SiC功率半導體的誕生之路和未來的可能性

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

清華大學交叉信息研究院段路明課題組實現(xiàn)量子存儲器增強的非局域圖態(tài)制備

鄭州大學物理學院在自供能多色顯示研究方面取得進展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展

北大物理學院高鵬課題組揭示氮化物異質結界面聲子輸運機制

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