10月22日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)由山東大學(xué)牽頭提出的《半導(dǎo)體晶片激光刻字深度的測(cè)定 白光干涉法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議，詳細(xì)信息如下：

秘書(shū)處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件（casas@casa-china.cn）。

新一代半導(dǎo)體材料研究院是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺(tái)，依托山東大學(xué)開(kāi)展建設(shè)。研究院充分發(fā)揮學(xué)校在半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢(shì)，通過(guò)整合校內(nèi)微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、控制、信息等優(yōu)勢(shì)學(xué)科力量，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料技術(shù)未來(lái)發(fā)展方向，面向能源、信息、國(guó)防、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點(diǎn)開(kāi)展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)我國(guó)新一代半導(dǎo)體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足國(guó)防安全和經(jīng)濟(jì)建設(shè)的重大需求。 

山東大學(xué)將研究院建設(shè)列為“雙一把手工程”，舉全校之力、集全校之智予以重點(diǎn)推進(jìn)。作為學(xué)術(shù)特區(qū)，學(xué)校為研究院在校內(nèi)新建1.2萬(wàn)平方米研發(fā)中心大樓，配備各類先進(jìn)儀器設(shè)備，給予穩(wěn)定的經(jīng)費(fèi)與政策支持。構(gòu)建起“一中心多基地”的發(fā)展格局，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，與華為等龍頭企業(yè)建立深度合作關(guān)系；組建起一支包括教育部“長(zhǎng)江學(xué)者”特聘教授、國(guó)家杰出青年基金獲得者、中組部“萬(wàn)人計(jì)劃”入選者等在內(nèi)的高端研究團(tuán)隊(duì)。研究院作為晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的重要支撐，將以更加開(kāi)放的姿態(tài)和國(guó)際化的視野，珍視機(jī)遇，不辱使命，力爭(zhēng)成為我國(guó)新一代半導(dǎo)體材料及器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)策源地。