天眼查知識產(chǎn)權信息顯示，浙江奧首材料科技有限公司申請一項名為“一種用于半導體化合物光刻膠的剝離液、其制備方法及用途“，公開號 CN202410880916.4，申請日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種用于半導體化合物光刻膠的剝離液、其制備方法及用途。所述的光刻膠的剝離液，按照重量份計算，包括如下組分：有機胺 1020 份；潤濕劑 1030 份；有機溶劑 5080 份；緩蝕劑 0.21 份。本發(fā)明采用了復合緩蝕劑體系，其中的巰基可以較好的吸附在砷化鎵表面，形成較好的保護層，同時可以對蝕刻液中游離的砷離子進行螯合，進一步減少腐蝕；同時氮唑類的緩蝕劑可以吸附在鎵離子上，在表面形成互補的保護層，進而減少了剝離液中的腐蝕。采用復合極性有機溶劑體系，能夠提高各物質(zhì)的溶解性的同時，提高溶解在剝離液中的光刻膠的分散性。