天眼查知識產權信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司,西安奕斯偉硅片技術有限公司申請一項名為“用于外延設備的處理方法“，公開號 CN202410542371.6，申請日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本公開涉及用于外延設備的處理方法，外延設備包括反應腔室和傳送腔室，反應腔室內設置有基座，傳送腔室內設置有傳送臂，傳送臂用于將待生長外延的晶圓傳送至基座，處理方法包括：步驟 S1：在第一溫度下向反應腔室通入硅源氣體；步驟 S2：在第二溫度下使傳送臂以未承載晶圓的狀態(tài)從傳送腔室進入反應腔室并從反應腔室返回傳送腔室；以及步驟 S3：在第三溫度下對反應腔室烘烤預定時間，其中，步驟 S2 循環(huán)執(zhí)行多次。通過上述處理方法，能夠以較短的時間完成反應腔室內水分的去除并在去除水分的過程中避免基座的 SiC 層受到水分的侵蝕。