安世半導體（Nexperia）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiCMOSFET 產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后 Nexperia 將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對高性能 SiCMOSFET 的需求。

RDS(on) 會影響傳導功率損耗，是 SiC MOSFET 的關(guān)鍵性能參數(shù)。安世半導體認為這是目前市場上許多 SiC 器件性能的限制因素。但是通過創(chuàng)新工藝技術(shù)，安世半導體的首款 SiC MOSFET 實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on) 的標稱值僅增加 38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半導體 SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低，由此可實現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動損耗。此外，安世半導體通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。

除了正溫度系數(shù)外，安世半導體 SiC MOSFET 的 VGS(th) 閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

安世半導體未來還計劃推出車規(guī)級 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。