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三星已開(kāi)始使用極紫外光刻技術(shù)量產(chǎn)14納米DRAM芯片

日期:2021-10-12 來(lái)源:TechWeb閱讀:283
核心提示:今日,存儲(chǔ)芯片制造商三星電子宣布,它已開(kāi)始使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)芯片制造商三星電子今日宣布,它已開(kāi)始使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)量產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片。
 
三星電子表示,EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復(fù)步驟,提高了圖案繪制的準(zhǔn)確性,從而提高了性能和產(chǎn)量,縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間。
 
利用最新的DDR5標(biāo)準(zhǔn),三星14納米DRAM將幫助解鎖前所未有的高達(dá)7.2Gbps的速度,這是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。
 
該公司表示,即將開(kāi)始量產(chǎn)DDR5,并預(yù)計(jì)最新工藝將使生產(chǎn)率提高20%,功耗降低近20%。
 
據(jù)悉,三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片和智能手機(jī)制造商之一。在近日舉辦的晶圓代工論壇上,該公司宣布,將從2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片,并計(jì)劃從2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的3nm芯片,第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將在2023年生產(chǎn)。 
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