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  • 濱田公守:最新高性能S
    最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan
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    IFWS2025-01-09 15:43
  • 士蘭微電子功率系統(tǒng)應(yīng)
    高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理
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    IFWS2025-01-09 14:19
  • 皇家墨爾本大學(xué)微納研
    基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University
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    IFWS2025-01-09 13:57
  • 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
    電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
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    guansheng2023-05-22 15:20
  • 清純半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理史
    AECQ-101車規(guī)級(jí)認(rèn)證的高性能1200V SiC MOS器件史文華清純半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.
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    guansheng2023-05-22 14:47
  • 博睿光電副總經(jīng)理梁超
    面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
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    guansheng2023-05-22 13:51
  • 湖北大學(xué)材料科學(xué)與工
    基于HfZrO2與b-Ga2O3異質(zhì)結(jié)的高性能自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光探測(cè)器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明鍇湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University
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    guansheng2023-05-19 15:03
  • 江蘇第三代半導(dǎo)體研究
    高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長(zhǎng)High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國(guó)斌江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
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    guansheng2023-05-19 08:56
  • 中國(guó)科學(xué)院微電子所金
    面向全GaN集成的高性能GaN基增強(qiáng)型p-FET器件研究金昊，蔣其夢(mèng)*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
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    guansheng2022-09-01 12:49
  • 南京大學(xué)王海萍:基于
    基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    55100
    guansheng2022-09-01 12:16
  • 北京大學(xué)孫棟: 基于拓
    基于拓?fù)浒虢饘俚母咝阅芄怆娞綔y(cè)孫棟北京大學(xué)
    42200
    guansheng2022-09-01 12:04
  • 陳景文：高性能深紫外
    《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長(zhǎng)清單位：武漢光電國(guó)家研究中心，華中科技大學(xué)，湖北深紫科技有限公司
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    limit2022-01-10 10:23
  • 蔣迪：金屬雙面鏡高性
    《金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機(jī)制的研究》作者：蔣迪，陶濤，智婷，劉斌，張榮，鄭有炓單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、南京郵電大學(xué)
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    limit2022-01-05 16:08
  • 【視頻報(bào)告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報(bào)告；張振中對(duì)各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計(jì)引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報(bào)告 2019】南
    深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測(cè)器在光刻、天文監(jiān)測(cè)以及國(guó)防預(yù)警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在適用于DUV和EUV探測(cè)的所有
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    limit2021-04-29 10:27
  • 茂碩電子首席技術(shù)官胡
    夜游經(jīng)濟(jì)發(fā)展，消費(fèi)升級(jí)，智慧城市發(fā)展的助推，信息時(shí)代智慧控制技術(shù)升級(jí)，景觀照明市場(chǎng)呈穩(wěn)步擴(kuò)大趨勢(shì)。華南理工大學(xué)電力電子與電力傳動(dòng)專業(yè)工學(xué)博士、深圳茂碩電子科技有限公司首席技術(shù)官胡炎申做了題為高性能LED智能驅(qū)動(dòng)助力景觀照明發(fā)展的主題報(bào)告，分析了景觀照明控制系統(tǒng)特點(diǎn)與要求，景觀照明控制系統(tǒng)架構(gòu)，以及當(dāng)前景觀照明驅(qū)動(dòng)技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和破局思路。
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    limit2020-02-01 15:05
  • 極智報(bào)告|臺(tái)灣交通大
    臺(tái)灣交通大學(xué)的教授郭浩中在基于量子點(diǎn)氣溶膠噴射技術(shù)的高性能全彩微顯示器報(bào)告中指出，目前，光利用效率（LUE）液晶顯示器仍低于2.8%。大多數(shù)無源元件，如彩色濾光片，可以吸收來自LED背光的大量光子。因此，為了滿足預(yù)期的輸出發(fā)光，顯示器的工作功率必須大于所需功率的十倍，而RGB量子點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)全彩色顯示和解決LCD系統(tǒng)低光利用效率問題的一個(gè)很好的備選方案。量子點(diǎn)具有高的量子產(chǎn)率、尺寸依賴的發(fā)射波長(zhǎng)和窄的發(fā)射半峰等特性。
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    limit2020-02-01 10:43
  • 極智高端訪談：三鑫電
    南通三鑫電子科技股份有限公司總經(jīng)理陳世云在2018年光亞展期間接受極智頭條專訪，現(xiàn)場(chǎng)分享電容行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，并介紹了公司主推的“一高一低”拳頭產(chǎn)品，備受客戶認(rèn)可和關(guān)注！
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    limit2025-06-07 22:35
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