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萊特葳芯半導(dǎo)體劉天奇:智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究進(jìn)展

日期:2023-08-01 閱讀:477
核心提示:近日,2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇將于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”將于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.huizhouyinshua.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

劉天奇

期間,“平行論壇1:功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上,萊特葳芯半導(dǎo)體(無錫)有限公司CEO劉天奇將帶來《智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究進(jìn)展》的主題報(bào)告,分享最新技術(shù)研究成果。

氮化鎵功率晶體管具備較低的輸入/輸出電容與導(dǎo)通電阻,大大降低了開關(guān)損耗,在高頻、高壓、高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域極具優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用上,氮化鎵高的開關(guān)速度不可避免的引入了強(qiáng)EMI干擾,對(duì)器件的穩(wěn)定工作和長期可靠性提出了較大挑戰(zhàn)。在幾十到數(shù)百伏高電壓大電流應(yīng)用場景,高的dV/dt與di/dt將引起驅(qū)動(dòng)芯片和功率晶體管的可靠性降低或控制失效。由于氮化鎵功率晶體管的閾值電壓相對(duì)較低,開關(guān)過程中的大幅度ringing極易引起功率管的誤開啟,產(chǎn)生額外的損耗甚至發(fā)生穿通。在半橋應(yīng)用中,浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓將引起自舉電容的電壓過沖,大大增加了氮化鎵的柵極應(yīng)力,影響器件的可靠性。

報(bào)告指出,近年來,針對(duì)氮化鎵的應(yīng)用,學(xué)術(shù)界與工業(yè)界相繼提出了智能化的全集成自適應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)控制技術(shù),不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)dV/dt的定量調(diào)制,而且提出了針對(duì)驅(qū)動(dòng)能力溫度補(bǔ)償、主動(dòng)自舉控制、死區(qū)時(shí)間自適應(yīng)調(diào)制等大量創(chuàng)新技術(shù),為高效率氮化鎵的驅(qū)動(dòng)技術(shù)指明了方向。隨著數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、車載電源、移動(dòng)負(fù)載等對(duì)高能效電力變換需求的日益增長,智能化的氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)將推動(dòng)氮化鎵功率晶體管在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展。

公開信息顯示,萊特葳芯半導(dǎo)體(無錫)有限公司2022年成立,專注高壓非隔離與隔離驅(qū)動(dòng)芯片(HVIC)、Low-Side與High-Side驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率模塊(IPM)、智能功率集成電路(SPIC)、直流無刷電機(jī)控制、電源與逆變器等技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)。此外,該公司可為不同類型功率晶體管匹配最佳驅(qū)動(dòng)方案和控制方案,可打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驅(qū)動(dòng)芯片,推動(dòng)相關(guān)技術(shù)在新能源、汽車、家電、機(jī)器人、工業(yè)自動(dòng)化等多領(lǐng)域的應(yīng)用落地。2023年6月公司完成數(shù)千萬天使輪融資,由無錫芯和投資、無錫市創(chuàng)投、無錫新投集團(tuán)等聯(lián)合投資。本輪融資資金主要用于高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)和研發(fā),包括高壓隔離、非隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù),以及氮化鎵、碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)。

CASICON 系列活動(dòng)簡介

 “先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)(CASICON)” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦,每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)?;顒?dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn),聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求,通過“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式,促進(jìn)參與各方交流合作,積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任,聯(lián)合實(shí)力資源,持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容,搭建更好的交流平臺(tái),為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

(備注:以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn),僅供參考?。?/p>

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