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IFWS2025：碳化硅材料生長(zhǎng)及應(yīng)用分會(huì)最新報(bào)告出爐！

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

IFWS2025：碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學(xué)鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破

標(biāo)準(zhǔn) |《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》立項(xiàng)

全碳化硅10千伏直掛式超充站投入使用，充電速度最快達(dá)1秒1公里！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|加拿大多倫多大學(xué)吳偉東：一種具備自動(dòng)時(shí)序功能適用于碳化硅功率MOSFET的智能動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)器

芯聯(lián)集成與理想汽車舉辦晶圓下線儀式全新碳化硅產(chǎn)品開啟量產(chǎn)交付

Wolfspeed全球范圍內(nèi)的專利突破2300項(xiàng)，推動(dòng)碳化硅技術(shù)進(jìn)步與行業(yè)可持續(xù)發(fā)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

臺(tái)積電鎖定12英寸碳化硅新戰(zhàn)場(chǎng)，布局AI時(shí)代散熱關(guān)鍵材料

環(huán)球晶：12英寸方形碳化硅晶圓已開發(fā)

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?山東大學(xué)陳秀芳：碳化硅單晶材料技術(shù)及應(yīng)用

2025云南晶體大會(huì)前瞻|同光半導(dǎo)體王?。禾魬?zhàn)與機(jī)遇并存 -- 碳化硅材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春?。捍蟪叽?span id="htzkctf" class="highlight">碳化硅襯底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

格棋化合物半導(dǎo)體宣布將進(jìn)軍大尺寸碳化硅布局

特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目簽約浙江仙居

2025云南晶體大會(huì)前瞻|連科半導(dǎo)體胡動(dòng)力：8/12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展方向

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國(guó)晶微半導(dǎo)體

超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底

小鵬汽車與芯聯(lián)集成聯(lián)合開發(fā) 國(guó)內(nèi)首個(gè)混合碳化硅產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

Wolfspeed推出第四代1200V車規(guī)級(jí)裸芯片碳化硅MOSFET

晶盛機(jī)電：12英寸碳化硅尚不具備大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化條件

江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐！

爍科晶體年產(chǎn)100萬(wàn)毫米碳化硅單晶項(xiàng)目正式啟動(dòng)！

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