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上海光機(jī)所硼摻雜金剛石研究獲新進(jìn)展

上海光機(jī)所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)田朋飛：面向空間引力波探測(cè)的深紫外micro-LED器件與可靠性研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)任澤陽(yáng)：金剛石表面終端電導(dǎo)器件和散熱應(yīng)用研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大學(xué)鞠光旭：基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)GaN生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原位研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級(jí)InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

中科院半導(dǎo)體所在高速光通信光頻梳研究方面取得新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國(guó)東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長(zhǎng)研究進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛(ài)爾蘭丁達(dá)爾國(guó)家研究所李智：通過(guò)微轉(zhuǎn)印實(shí)現(xiàn)微型LED的高級(jí)集成

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在高速直調(diào)半導(dǎo)體激光器研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在基于伊辛智能計(jì)算的光子集成電路快速重構(gòu)研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)自組織拓?fù)浼す馄餮邪l(fā)取得新進(jìn)展

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

半導(dǎo)體所/長(zhǎng)光所/國(guó)創(chuàng)中心(蘇州)/中電科48所&18所/昆明物理所/甬江實(shí)驗(yàn)室/賽迪研究院等專(zhuān)家邀共聚2025云南晶體大會(huì)！

復(fù)旦田朋飛課題組綠光micro-LED研究進(jìn)展?：?2GHz帶寬下實(shí)現(xiàn)9Gbps通信速率

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級(jí)高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長(zhǎng)研究新進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|仕佳光子黃永光：CW DFB激光器研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測(cè)用半導(dǎo)體單晶材料研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類(lèi)半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

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