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IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

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新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

我國成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域重大需求

廈大團(tuán)隊研制成功拓?fù)渥孕虘B(tài)光源芯片

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

上海光機(jī)所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會印發(fā)《2023年全國標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國科學(xué)院自主研制科學(xué)儀器名錄

智新半導(dǎo)體已研制出基于第3代半導(dǎo)體碳化硅的功率模塊

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

郝躍院士團(tuán)隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺增強(qiáng)芯片

中電科45所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國內(nèi)主流產(chǎn)線

我國自主研制深紫外LED器件助力疫情防控

大功率芯片研制獲突破

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項技術(shù)突破

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