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半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在2D/3D雙模視覺處理芯片研制取得新進(jìn)展

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

粵海金半導(dǎo)體順利研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

國內(nèi)首款商用可重構(gòu)5G射頻收發(fā)芯片研制成功

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

我國成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域重大需求

廈大團(tuán)隊(duì)研制成功拓?fù)渥孕虘B(tài)光源芯片

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

上海光機(jī)所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)印發(fā)《2023年全國標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》加強(qiáng)新興技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所“深紫外激光光致發(fā)光光譜儀”入選中國科學(xué)院自主研制科學(xué)儀器名錄

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