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第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成

聚燦光電與中科院半導(dǎo)體所開發(fā)高性能高光功率氮化物

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強(qiáng)：無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長

最新關(guān)注氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展

基于氮化鎵業(yè)務(wù)發(fā)展的考慮賽微電子(300456.SZ)擬轉(zhuǎn)讓聚能國際24.5%股權(quán)

晶方科技擬加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件公司VisIC的投資

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型研究

西安電子科技大學(xué)王婷婷：基于金屬氮化物陽極的凹槽雙陽極SBD研究

最新進(jìn)展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述

美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基，標(biāo)志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰將會(huì)傲立潮頭？

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)論壇最新日程出爐

環(huán)旭電子宣布投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司加碼功率電子戰(zhàn)略

IFWS 2021前瞻：中國電科首席科學(xué)家馮志紅將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

2022年全球氮化鎵行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析

廣州又一氮化鎵項(xiàng)目要開建，中試能力1000片/年！

南京芯干線周陽：氮化鎵功率器件及在數(shù)字電源中的應(yīng)用

氮化鎵廠商晶通半導(dǎo)體獲千萬元融資

深圳大學(xué)劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件

下一代半導(dǎo)體：越走越“寬”，還是越“窄”？

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