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英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報價1.3億歐元

香港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬片

第三代半導(dǎo)體中“慢半拍”的氮化鎵掀起并購熱

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學(xué)劉雯：用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

東微半導(dǎo)申請氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

中瓷電子：博威公司致力于為全球通信設(shè)備供應(yīng)商提供氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品和服務(wù)

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標(biāo)

誰將成為功率氮化鎵領(lǐng)域的參賽者和下一個收購目標(biāo)？

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗晶體管！

北大團(tuán)隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

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