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冠鼎半導體1.055億元新建氮化鎵項目

日期:2024-09-19 閱讀:422
核心提示:江門市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布了“冠鼎半導體第三代氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。

 9月9日,江門市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布了“冠鼎半導體第三代氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。

公告披露,冠鼎半導體正在推進第三代氮化鎵(GaN)功率半導體生產(chǎn)新建項目,該項目位于廣東省江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn),項目總投資額為1.055億元,其中環(huán)保投資占50萬元,施工工期預計為2個月,目前尚未開始建設。項目計劃年加工第三代氮化鎵功率半導體1500萬件,主要生產(chǎn)設施包括萬級潔凈室和十萬級潔凈室,將配備固晶機、焊線機、離子清洗機等關鍵設備。

資料顯示,冠鼎半導體成立于2023年8月,為江門市鼎翔電子科技有限公司全資子公司。鼎翔電子成立于2012年6月,是一家集半導體封裝材料開發(fā)設計制造及方案解決為一體的,專業(yè)從事發(fā)光二極管(LED)引線框架、塑封三極管引線框架和精密電子元器件生產(chǎn)的工廠。

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