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眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

國星光電子公司風(fēng)華芯電成功開發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐

臨沂：加快氮化鎵新材料項目建設(shè)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

臺灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項目落戶無錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項目

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報價1.3億歐元

香港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬片

第三代半導(dǎo)體中“慢半拍”的氮化鎵掀起并購熱

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

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