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新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

廈門(mén)大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

廈門(mén)大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

中國(guó)電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

重點(diǎn)研發(fā)“卡脖子”項(xiàng)目，同濟(jì)大學(xué)氧化鎵材料項(xiàng)目簽約江蘇無(wú)錫

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目簽約無(wú)錫高新區(qū)

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項(xiàng)目落地江蘇省無(wú)錫市高新區(qū)

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

CASICON 2023長(zhǎng)沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展探討

鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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