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富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進展

6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導(dǎo)體迎來新進展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

國際上首次！基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)已報道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

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