以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時，以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料與其他先進電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ苍絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)發(fā)展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下，由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏?，攜手促進國內(nèi)碳化硅及其他半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
期間，“平行論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體”如期召開。分會上，中南大學教授汪煉成，中科院半導體研究所研究員陳雄斌，南京大學教授王科，湖南爍科晶磊半導體科技有限公司科技部部長陳峰武，河北工業(yè)大學教授張紫輝，哈爾濱工業(yè)大學教授王琮，中電科第五十五研究所副主任設(shè)計師彭大青，湖南大學半導體學院（集成電路學院）助理教授李陽鋒，中國科學院上海光機所研究員夏長泰，廈門大學化學與化工學院教授張洪良，西安交通大學副教授李強，山東大學胡秀飛博士，山東大學新一代材料研究院副教授穆文祥，中南大學物理電子學院副教授袁小明，中國科學技術(shù)大學微電子學院趙曉龍，中國電子科技集團第四十六所高級工程師張勝男，湖南大學新一代半導體研究院副教授胡偉等嘉賓帶來精彩報告，深入探討氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體的研究進展。南京大學教授謝自力，廈門大學電子科學與技術(shù)學院副院長張保平，中南大學教授劉艷平，中南大學教授汪煉成共同主持本論壇。
南京大學教授謝自力
廈門大學電子科學與技術(shù)學院副院長張保平
中南大學教授劉艷平
中南大學教授汪煉成
原位集成亞波長光學結(jié)構(gòu)micro-LEDs器件研究
中科院半導體研究所研究員陳雄斌
氮化鎵基光通信技術(shù)及應(yīng)用
南京大學教授王科
氮化物半導體數(shù)字混晶與極化誘導二維空穴氣
湖南爍科晶磊半導體科技有限公司科技部部長陳峰武
分子束外延設(shè)備國產(chǎn)化進展及展望
河北工業(yè)大學教授張紫輝
GaN功率電子器件的物理建模與制備研究
哈爾濱工業(yè)大學教授王琮
GaN基寬帶高效功率放大器的進展與展望
中電科第五十五研究所副主任設(shè)計師彭大青
微波氮化鎵外延材料研究進展
湖南大學半導體學院（集成電路學院）助理教授李陽鋒
原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流
中國科學院上海光機所研究員夏長泰
下一代半導體——氧化鎵之管見
廈門大學化學與化工學院教授張洪良
氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究
西安交通大學副教授李強
基于LPCVD生長六方氮化硼薄膜的特性及應(yīng)用研究
山東大學胡秀飛博士
金剛石材料制備和應(yīng)用研究
山東大學新一代材料研究院副教授穆文祥
氧化鎵單晶生長及缺陷研究
中南大學物理電子學院副教授袁小明
III-V族化合物納米半導體陣列的選區(qū)外研生長及探測應(yīng)用
中國科學技術(shù)大學微電子學院趙曉龍
氧化鎵光電探測器研究進展
中國電子科技集團第四十六所高級工程師張勝男
氧化鎵材料研究進展及發(fā)展思考
湖南大學新一代半導體研究院副教授胡偉
氧化鎵的可控摻雜與性能調(diào)控
