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濱州發(fā)布新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新“路線圖”

《Nature》：金剛石中氮空位中心系綜的自旋擠壓！

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用

晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

IFWS2025：碳化硅材料生長(zhǎng)及應(yīng)用分會(huì)最新報(bào)告出爐！

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

總投資5.3億元，三月科技新型光電材料高端生產(chǎn)基地開業(yè)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

首次！我國(guó)芯片領(lǐng)域取得新突破

IFWS&SSLCHINA 2025：氮化物材料生長(zhǎng)及光電技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐！

成本直降98%！微合金化復(fù)合焊片：媲美燒結(jié)銀性能的功率半導(dǎo)體封裝新技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體材料與器件

天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學(xué)西澤伸一：綠色社會(huì)時(shí)代下的SiC材料技術(shù)

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2025年度開放課題申請(qǐng)指南

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

路明科技集團(tuán)肖志國(guó)：稀土發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片技術(shù)突破與前沿進(jìn)展

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進(jìn)展！

上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)|聚焦鍺及化合物半導(dǎo)體晶體材料最新進(jìn)展

2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)昆明盛大開幕

參會(huì)提醒｜2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)9月26-28日云南昆明召開！

應(yīng)用材料與格羅方德合作加速光子技術(shù)創(chuàng)新

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級(jí)高壓氧化鎵功率器件研究突破

倒計(jì)時(shí)3天！2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)即將在昆明啟幕！

邀請(qǐng)函|博宏源邀您共赴2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)

邀請(qǐng)函|南砂晶圓邀您共赴2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)

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