2024年6月21至23日，“新一代半導體晶體技術(shù)及應用大會”將在山東濟南召開。目前確認有院士、專家學者、知名企業(yè)代表在內(nèi)60余位報告嘉賓，并且最新演講主題也持續(xù)確認更新中！

本次大會是在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，山東中晶芯源半導體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、山東大學新一代半導體材料研究院、山東大學晶體材料國家重點實驗室、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司、廣東南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司共同承辦，山東硅酸鹽學會新材料專委會、江蘇通用半導體有限公司等單位協(xié)辦支持。

大會將邀請新一代半導體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導體晶體技術(shù)進展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

一、組織機構(gòu)

指導單位：

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

山東中晶芯源半導體科技有限公司

山東華光光電子股份有限公司

山東大學新一代半導體材料研究院

山東大學晶體材料國家重點實驗室

極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

第三代半導體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司

協(xié)辦支持：

山東硅酸鹽學會新材料專委會

江蘇通用半導體有限公司

顧問委員會：

陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀美

大會主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲

大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華

程序委員會：

李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊曉燕 黎大兵 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強 張進成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 樊仲偉 顧小勇 孫洪波 郝志彪 唐淳 林學春 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬

組織委員會：

李樹強 李強 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃  劉鵬 王雨雷 王希瑋 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等

二、主題方向

1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應用

·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備

·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)

·碳化硅外延生長技術(shù)

·先進長晶及外延碳材石墨技術(shù)

·碳化硅功率器件設(shè)計與制造技術(shù)

·先進碳化硅長晶爐及外延生長裝備

·先進晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備

·先進研磨設(shè)備及先進拋光技術(shù)

·激光退火設(shè)備及技術(shù)

·先進刻蝕設(shè)備及技術(shù)

·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進封裝設(shè)備

2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用

·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)

·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)

·超寬禁帶半導體單晶技術(shù)

·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備

·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)

·氧化鎵單晶生長技術(shù)

·氧化鎵外延及器件技術(shù)

·先進AlN 單晶生長技術(shù)及其應用

·Micro LED 技術(shù)

3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應用

·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)

·半導體激光器技術(shù)及應用

·車用激光雷達技術(shù)及應用

·光通信技術(shù)及應用

·紅外LED及顯示照明技術(shù)

三、會議概覽

會議時間：2024年6月21-23日

會議酒店：山東·濟南融創(chuàng)施柏閣酒店

 

四、主題報告&演講嘉賓（不分先后，持續(xù)更新中）

1.開幕大會&主旨報告

·V形PN結(jié)銦鎵氮發(fā)光及應用

江風益- 中國科學院院士、南昌大學教授

·光與低維氧化物相互作用研究

金奎娟- 中國科學院院士、中國科學院物理研究所研究員

·TBD

楊中民-華南師范大學校長

·低缺陷碳化硅單晶進展及展望

徐現(xiàn)剛-山東大學新一代半導體材料研究院院長、南砂晶圓聯(lián)合創(chuàng)始人

·AlN體單晶材料和外延材料的制備

沈 波-北京大學理學部副主任、教授

·SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化

嚴 飛-芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司副總裁

·碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

李 赟-中電科五十五所副主任設(shè)計師

·基于金屬有機化學氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜摻雜研究

 

王 鋼- 中山大學教授

·高功率半導體激光器核心外延材料及芯片研究進展

朱 振 -山東華光光電子股份有限公司研發(fā)部部長

平行論壇1：碳化硅晶體及其應用

·碳化硅外延技術(shù)及發(fā)展趨勢

趙麗霞-河北普興電子科技股份有限公司副總經(jīng)理

·TBD

楊祥龍-山東大學副教授/南砂晶圓技術(shù)總監(jiān)

·碳化硅襯底及器件Grinding加工工藝解決方案

張國強-北京中電科電子裝備集團市場營銷部副部長

·瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測中的應用

金盛燁-中國科學院大連化學物理研究所研究員、創(chuàng)銳光譜董事長

·碳化硅晶錠剝離工藝應用

鞏鐵建-江蘇通用半導體有限公司總工程師

·SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

馬觀嵐-江蘇才道精密儀器有限公司董事長

·建設(shè)公共科研平臺， 助力晶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

孫濤-濟南晶谷研究院副院長、山東大學智能創(chuàng)新研究院 副院長

·TBD

陳 彤 -泰科天潤董事長

·SIC材料缺陷對器件和良率影響

劉紅超-長飛先進半導體高級副總裁/首席科學家

·碳化硅功率器件失效及可靠性研究

崔瀠心-山東大學副研究員

·Si 及SiC功率器件應用及趨勢

陳 宏- 江蘇易矽科技有限公司總經(jīng)理

·TBD

楊霏-國網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體研究所副總工程師

·液相法碳化硅單晶生長研究

郁萬成-山東大學副研究員

·碳化硅電子器件技術(shù)若干新進展

宋慶文 -西安電子科技大學教授

·高壓SiC功率模塊封裝、測試及應用研究

王亞林-上海交通大學副教授

·X射線形貌技術(shù)在半導體材料中的應用

孫 麗-山東大學高級實驗師

·TBD

上海澈芯科技有限公司

·TBD

于國建-廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司生產(chǎn)總監(jiān)

·TBD

張峰-廈門大學教授

·大尺寸碳化硅激光切片技術(shù)研究進展

修向前-南京大學教授

·TBD

韓景瑞-廣東天域半導體股份有限公司副總經(jīng)理、研發(fā)總監(jiān)

·TBD

Handoko -山東大學

·分子光譜在化合物半導體研究領(lǐng)域的應用

雷浩東- 布魯克資深技術(shù)支持及應用工程師

·TBD

仲光磊 -山東大學

·碳化硅橫向功率器件的研究

郭清-浙江大學副教授

......

平行論壇2：氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用

·射頻用氮化物外延材料的新進展

房玉龍-中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任

·氮化物位錯演化及控制研究

劉志強-中國科學院半導體研究所特聘研究員

·顯示用Micro-LED技術(shù)新進展

黃凱-廈門大學物理科學與技術(shù)學院副院長、教授

·（11-22）AlN材料的HVPE生長及其二極管制備研究

張紀才-北京化工大學教授

·界面缺陷效應對 GaN功率電子器件的影響研究

張紫輝-廣東工業(yè)大學 教授

·金剛石氫終端結(jié)構(gòu)及其器件研究

陶 濤-南京大學副教授

·第三代半導體新型顯示技術(shù)

劉召軍-南方科技大學副教授、思坦科技董事長

·MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關(guān)機理探討

王若錚 -西安交通大學副教授

·Device quality true bulk AlN with prospectives to grow 6" crystals"

Yuri Makarov-- President of Nitride Crystals Inc.

·氮化鋁異質(zhì)結(jié)材料同質(zhì)外延技術(shù)研究

薛軍帥- 西安電子科技大學教授

·Micro LED微顯示技術(shù)研究進展

劉 斌--南京大學電子學院副院長、教授

·SIC及金剛石新型散熱結(jié)構(gòu)

彭 燕-山東大學教授

·TBD

楊學林--北京大學教授

·超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究進展與挑戰(zhàn)

周 弘 -西安電子科技大學教授

·六方氮化硼薄膜制備及器件應用

李 強-西安交通大學電子學院院長助理、副教授

·低成本氮化鎵垂直器件

劉新科- 深圳大學研究員

·基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

伍紹騰 -中國科學院半導體研究所研究員

·氮化物晶體生長研究進展

張 雷-山東大學教授

·AlN基材料缺陷調(diào)控研究

孫曉娟-中國科學院長春光機所研究員

·TBD

康玄武-中國科學院微電子研究所

·氧化鎵單晶

霍曉青-中電科四十六所高級工程師

·TBD

張源濤-吉林大學教授

......

平行論壇3：砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)

·近紅外 792nm半導體激光器在中長波紅外固體激光方面的應用

姚寶權(quán)-哈爾濱工業(yè)大學激光空間信息全國重點實驗室 教授

·砷化鎵和磷化姻單晶材料的制備和展望

張汪陽-先導新材高級工程師

·雙碳背景下的激光智能制造技術(shù)

周 軍-中國科學院上海光學精密機械研究所研究員

·TBD

華云科技

·超快和紫外激光

趙智剛-山東大學信息學院教授

·TBD

山東華光

·面向硅光集成的III-V族量子點材料與激光器

楊曉光-中國科學院半導體研究所研究員

·高質(zhì)強光光學元件制造與薄片激光技術(shù)

李剛-中國科學院大連化物所研究員

......

備注：上述報告主題&演講嘉賓持續(xù)增加更新中，最終以現(xiàn)場為準！

五、擬參與單位

北方華創(chuàng)、百識電子、比亞迪半導體、長飛半導體、東莞天域、東尼電子、華大半導體、華虹半導體、海思半導體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導體、江蘇宏微、晶盛機電、晶湛半導體、科友半導體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環(huán)集團、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導體、晶工半導體、賽爾科技、通用半導體、泰克科技、安儲科技、華林嘉業(yè)、聯(lián)盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達、上海央米智能、同光半導體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導新材、西門子、小鵬汽車、意法半導體、英飛凌、揚杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學、東南大學、電子科技大學、復旦大學、清華大學、南京大學、山東大學、西安電子科技大學、西安交通大學、廈門大學、浙江大學、中科院半導體所、中科院微電子所等

六、活動參與

1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預定中，請具體請咨詢。

2、掃碼報名

掃碼完成預報名，然后再注冊繳費

七、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

八、聯(lián)系方式

報告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com 

中晶芯源 聯(lián)系人 ：

王先生   15811352980

 九、協(xié)議酒店

1、會議酒店名稱：濟南融創(chuàng)施柏閣酒店（濟南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號）

 協(xié)議價格：大床/ 標間  含早  500元/1-2份早餐

預訂方式：

發(fā)郵件到 預訂部  jnrcwlc@huazhu.com  抄送：victoria0001@hworld.com

郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間

酒店銷售經(jīng)理：謝文寧15966068948 

2、周邊協(xié)議酒店