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專利公開 | 多家單位半導(dǎo)體激光器相關(guān)專利申請/授權(quán)公開

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體封裝方法和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法”

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

新美光“襯底加熱體組件及化學(xué)氣相沉積設(shè)備”專利獲授權(quán)

泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

長光華芯“半導(dǎo)體材料生長速率的測試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測基板”專利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測電路”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運(yùn)裝置及晶圓搬運(yùn)方法”

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

武漢凡谷獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“天線振子及天線”

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權(quán)

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