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北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

上應(yīng)大科研團(tuán)隊(duì)在光探測(cè)材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項(xiàng)目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”進(jìn)入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說(shuō)丨化合物半導(dǎo)體器件的三大方向進(jìn)展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢(shì) |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導(dǎo)體電子分立器件制造總部項(xiàng)目簽約落戶丹灶

第十七屆誠(chéng)邀提名 | “2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”重磅開啟！

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