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Victor Veliadis教授:加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程

日期:2024-12-06 閱讀:456
核心提示:開幕大會上,美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來了“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”的主旨報告。

 硅在電力電子市場占據(jù)主導地位背后有幾個原因。硅以其優(yōu)良的原材料質量,易于加工,低成本大規(guī)模生產的機會,可靠的可靠性和電路設計遺產而聞名。然而,盡管取得了重大進展,硅器件現(xiàn)在正接近其操作極限。它們被相對較低的帶隙和較低的臨界電場所阻礙,這些特性導致高傳導和開關損耗以及不合標準的高溫性能。為了解決這些缺點,人們一直在努力提高商用SiC功率器件的競爭力。用碳化硅制成的晶體管和二極管具有優(yōu)越的材料特性,可以生產具有更小尺寸和簡化冷卻管理的高效功率器件。

Victor Veliadis

美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授

近期,第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)在蘇州召開。開幕大會上,美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來了“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”的主旨報告。

碳化硅(SiC)有利的材料特性允許在減少形狀因素和冷卻要求的情況下實現(xiàn)高效的功率器件。報告討論了Si, SiC和GaN的共存,并突出各自的競爭應用優(yōu)勢。器件制造方面的重點放在沒有從成熟的硅制造世界延續(xù)下來的工藝上,因此是特定于SiC的。介紹反映了Si的充滿活力的SiC制造基礎設施的晶圓廠模型。

報告識別和分析SiC大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅的器件成本與面積不成比例地增加,限制產量和器件面積的缺陷,可靠性和堅固性問題等,以及需要訓練有素的勞動力熟練地將SiC插入電力電子電路。Si和SiC之間的系統(tǒng)級價格平價將主要通過減少無源元件的質量和體積以及簡化熱管理來實現(xiàn)。 

嘉賓簡介

Victor Veliadis博士是美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授 ,PowerAmerica是一家由會員驅動的美國工業(yè)、大學和國家實驗室制造研究所,致力于加速節(jié)能碳化硅和氮化鎵功率半導體芯片和電子產品的商業(yè)化。在PowerAmerica,他管理著1.56億美元的預算,并將其戰(zhàn)略性地分配給210多個工業(yè)和大學項目,以促進SiC和GaN半導體以及電力電子制造、勞動力發(fā)展和創(chuàng)造就業(yè)機會。 

2023年,Veliadis博士贏得了美國能源部6400萬美元的PowerAmerica續(xù)約,以進一步促進WBG電力技術的發(fā)展。他也是耗資500萬美元的美國國家標準與技術研究所“在美洲原住民社區(qū)建立流行病抵御能力”電氣化和應急管理項目的首席研究員。Veliadis博士是北卡羅來納州立大學教授,也是IEEE Fellow和EDS杰出講師。他擁有27項美國專利、12本書的章節(jié)和163篇同行評審的出版物。Veliadis博士在半導體行業(yè)工作了21年,他的工作包括設計、制造和測試SiC器件、軍用雷達放大器的GaN器件,以及商業(yè)半導體工廠的財務和運營管理。擁有約翰·霍普斯金大學電氣工程博士學位。

同時,Victor Veliadis 教授作為ICSCRM 2024大會主席,也彰顯他在行業(yè)的地位和影響力。2024年碳化硅及相關材料國際會議(ICSCRM 2024)是今年規(guī)模最大的SiC領域國際頂會,在美國北卡羅來納州羅利舉行,吸引力全球一千多人出席與參加。ICSCRM旨在探索、展示和討論SiC和其他寬禁帶半導體領域的最新成果。此次會議吸引超過1200名來自業(yè)界、學術界和公共部門的代表參加。  

 (根據(jù)現(xiàn)場資料整理,僅供參考)  

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