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晶越半導體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用，贏得市場認可

晶盛機電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

斯達半導擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領域的創(chuàng)新應用

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

某單位SIC光刻版采購項目公開招標公告

年產(chǎn)100萬只！這個SiC模塊產(chǎn)線落戶廣東省

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術(shù)革新

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線年底通線

年底通線！株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展

天岳先進：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中

效率損耗雙領跑！大族半導體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。?span id="th7b5pj" class="highlight">SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

揚杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布

清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺

納微半導體推出全新SiCPAK?功率模塊

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