无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

<rt id="jllzi"><small id="jllzi"><strike id="jllzi"></strike></small></rt>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術革新

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術再攀高峰！

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線年底通線

年底通線！株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展

天岳先進：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中

效率損耗雙領跑！大族半導體SiC晶錠激光剝片技術單片15min單耗470μm！

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。?span id="tf9vipz" class="highlight">SiC功率器件的技術發(fā)展和應用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術與SiC基GaN射頻芯片技術進展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

揚杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布

清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺

納微半導體推出全新SiCPAK?功率模塊

標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

意法半導體：未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發(fā)和建設

天岳先進SiC單晶項目即將投產(chǎn)

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

聞泰科技：公司預計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”征求意見

中信證券：建議關注SiC器件領軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

第1頁/共25頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<rt id="v9buk"></rt>