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CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

時(shí)代電氣IGBT制氫電源設(shè)備累計(jì)交付突破100臺(tái)

中微創(chuàng)芯突破 “卡脖子” 技術(shù)！國(guó)產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT 功率模塊通過科技查新，打破國(guó)外壟斷！

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測(cè)試試驗(yàn)平臺(tái)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

格至達(dá)智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

智新半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)IGBT模塊2024年產(chǎn)量翻倍！

無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

總投資約2.3億元，賽美泰克IGBT及碳化硅產(chǎn)線核心設(shè)備項(xiàng)目持續(xù)刷新紀(jì)錄

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

晶益通12億元IGBT項(xiàng)目明年投產(chǎn)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

中車株洲所IGBT中標(biāo)全球最大綠色氫氨醇一體化項(xiàng)目

海南航芯IGBT模塊產(chǎn)品擬被認(rèn)定為2024年度海南省先進(jìn)裝備制造首臺(tái)套試點(diǎn)示范類項(xiàng)目

芯華睿半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項(xiàng)目量產(chǎn)

斯達(dá)半導(dǎo)：公司自主的車規(guī)級(jí)IGBT芯片已經(jīng)大批量生產(chǎn)并在新能源汽車行業(yè)大批量應(yīng)用多年

華潤(rùn)微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對(duì)部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價(jià)

復(fù)旦大學(xué)IGBT功率循環(huán)測(cè)試儀器（第二次）國(guó)際招標(biāo)公告

賽米控丹佛斯IGBT半導(dǎo)體功率模塊項(xiàng)目簽約南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)

晶益通半導(dǎo)體，IGBT 項(xiàng)目一期開工！

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)張金平：IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來發(fā)展趨勢(shì)

捷捷微電子“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利公布

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