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CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

投資5億元，世拓新材料高性能光學和集成電路高分子材料項目簽約落戶張家港

總投資2億元！江蘇長光時空高性能激光芯片項目投產(chǎn)

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

總投資310億元，星柯先進光電顯示產(chǎn)業(yè)項目高性能載板一號廠房主體封頂

左藍微電子高性能5G射頻濾波器項目啟動

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

光谷實驗室研發(fā)出高性能量子點光刻膠

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

青禾晶元領(lǐng)跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

西安8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產(chǎn)線項目實現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導體生產(chǎn)線項目爭2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學巫江：基于化合物半導體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計與制備

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

芯聚威科技完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，專注高性能信號鏈集成電路產(chǎn)品

拜登政府計劃阻止英偉達等出口高性能AI芯片英偉達回應

上汽高端純電SUV智己LS6發(fā)布首款搭載準900V雙碳化硅高性能平臺

西安電子科技大學王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

通過鑒定，中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET國際先進

【CASICON 2023】中南大學孫國遼博士：高性能功率器件封裝互連方法研究進展

西安8英寸高性能特色工藝半導體生產(chǎn)線項目迎來新進展

中科潞安閆建昌：高性能、大尺寸是深紫外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢

高性能SiC模塊廠家宣布完成逾億元人民幣Pre-B輪融資

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