半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日高性能SiC（碳化硅）模塊廠家利普思半導(dǎo)體宣布完成逾億元人民幣Pre-B輪融資，由和高資本領(lǐng)投，上海瀛嘉匯及老股東聯(lián)新資本跟投。本輪資金將主要用于公司在無(wú)錫和日本工廠產(chǎn)能的提升，擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以及現(xiàn)金流儲(chǔ)備。

據(jù)悉，利普思從2019年11月成立起就一直專(zhuān)注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。通過(guò)先進(jìn)的封裝材料和技術(shù)，該公司能夠?yàn)榭刂破鞯男⌒突?、輕量化和高效化提供完整的模塊應(yīng)用解決方案，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、大功率直流充電樁、燃料電池商用車(chē)等場(chǎng)景和領(lǐng)域。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用。碳化硅具有眾多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，寬禁帶特性顯著提升器件功率密度，從而利于系統(tǒng)散熱與終端小型輕便化；高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度特性有助于提高碳化硅器件的功率范圍，利于器件薄化的同時(shí)提高系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)力；高飽和電子漂移速率特性大幅提升開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)提高整機(jī)效率。第三代半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用在5G基建、新能源汽車(chē)充電樁、特高壓及軌道交通等“新基建”各領(lǐng)域核心射頻、功率器件中，產(chǎn)業(yè)迎來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。Yole預(yù)測(cè)，到2023年，全球碳化硅材料滲透率有望達(dá)到3.75%，預(yù)計(jì)到2025年，SiC器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到32億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率超30%。

在產(chǎn)品方面，利普思主要產(chǎn)品包括新能源汽車(chē)和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊。其中，利普思的HPD系列SiC模塊在去年已成功通過(guò)歐洲整車(chē)廠客戶的樣品測(cè)試，以及國(guó)內(nèi)新能源整車(chē)廠的選型和測(cè)試，并在第三方SiC控制器上進(jìn)行了充分的負(fù)載驗(yàn)證。目前，利普思模塊產(chǎn)品的性能和品質(zhì)已達(dá)到國(guó)際品牌水平，并成功進(jìn)入海外市場(chǎng)。其中，針對(duì)新能源汽車(chē)領(lǐng)域，公司推出了面向EV主驅(qū)逆變器的HPD系列，面向燃料電池汽車(chē)及機(jī)械車(chē)輛的ED3S、ED3H系列，面向汽車(chē)空壓機(jī)的E0和E2系列等各型SiC功率模塊，電流覆蓋25A至1000A，可實(shí)現(xiàn)從幾kW到400kW以上的應(yīng)用。

在團(tuán)隊(duì)方面，利普思團(tuán)隊(duì)成員在三菱、東芝、三洋等功率半導(dǎo)體等的核心部門(mén)長(zhǎng)期工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉功率半導(dǎo)體市場(chǎng)、產(chǎn)品、技術(shù)。利普思創(chuàng)始人梁小廣在2004年上海交通大學(xué)研究生畢業(yè)后，就加入日本三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體事業(yè)部，其間成功完成數(shù)款世界領(lǐng)先的功率器件，后在采埃孚從事SiC模塊封裝技術(shù)研究。聯(lián)合創(chuàng)始人丁烜明曾任上海電驅(qū)動(dòng)事業(yè)部總監(jiān)，熟悉功率模塊市場(chǎng)和應(yīng)用，以及OEM的供應(yīng)鏈配套和質(zhì)量體系要求。

報(bào)道稱(chēng)，2023年，利普思將全面擴(kuò)充乘用車(chē)、商用車(chē)、氫燃料電池、充電樁、光伏/儲(chǔ)能、特高壓等各大產(chǎn)品線。不僅如此，該公司還計(jì)劃在國(guó)內(nèi)建立一個(gè)百萬(wàn)級(jí)IGBT和SiC模塊的生產(chǎn)基地，產(chǎn)能預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)十倍增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)于明年年底投產(chǎn)，以更好地滿足未來(lái)SiC模塊更大的市場(chǎng)需求。?