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南京大學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備公開(kāi)招標(biāo)公告（第三次）

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

聚看云AI視覺(jué)系統(tǒng)亮相SEMI-e深圳半導(dǎo)體博覽會(huì)，引領(lǐng)LED晶圓缺陷檢測(cè)新變革

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

重慶芯聯(lián)微電子申請(qǐng)掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

博視像元獲1.3億元A輪融資，產(chǎn)品應(yīng)用于晶圓缺陷檢測(cè)等領(lǐng)域

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)徐現(xiàn)剛：低缺陷碳化硅單晶進(jìn)展及展望

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |創(chuàng)銳光譜金盛燁：瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

御微半導(dǎo)體首臺(tái)掩?；?span id="u9r8qxo" class="highlight">缺陷檢測(cè)產(chǎn)品交付國(guó)內(nèi)先進(jìn)掩模廠

CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君：SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性

高視半導(dǎo)體納米級(jí)圖形晶圓缺陷檢測(cè)量產(chǎn)設(shè)備出口馬來(lái)西亞頭部客戶

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│廈門(mén)大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)

IFWS 2023│清軟微視周繼樂(lè)：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù)

廈門(mén)大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

華工科技2022年?duì)I收凈利雙增 SiC襯底外觀缺陷檢測(cè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代應(yīng)用

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無(wú)缺陷最大直徑超過(guò)204毫米

英諾激光：目前公司產(chǎn)品在芯片制造領(lǐng)域的應(yīng)用為晶圓加工缺陷檢測(cè)、碳化硅退火等制造工序

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