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CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗方法”專利公布

總投資16.8億元，晶旭半導(dǎo)體高頻濾波器芯片項目將于7月投用

比亞迪半導(dǎo)體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

格恩半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

日本加強出口管制！42家中國實體列入“黑名單”，涉及處理器、光刻機等領(lǐng)域

德州儀器：到 2030 年，公司預(yù)計有超 95% 晶圓通過內(nèi)部采購

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)

蘋果攻機器人砷化鎵三雄迎大商機

年產(chǎn)100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

武漢敏聲高端射頻濾波器生產(chǎn)線項目封頂

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項目投產(chǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

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