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CASICON晶體大會前瞻|砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)分論壇日程出爐

長晶浦聯(lián)年產(chǎn)200億顆新型元器件項(xiàng)目，預(yù)計(jì)8月竣工驗(yàn)收

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

CASICON晶體大會前瞻|山東華光孫素娟：高功率疊陣激光器及相關(guān)技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

宇樹科技 Unitree G1 9.9萬元機(jī)器人面世，電機(jī)成本分析

CASICON晶體大會前瞻|南方科技大學(xué)劉召軍:第三代半導(dǎo)體光電器件與Micro-LED新型顯示技術(shù)

CASICON晶體大會前瞻|中國電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：碳化硅電子器件技術(shù)若干新進(jìn)展

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

先導(dǎo)稀材激光雷達(dá)及傳感器件項(xiàng)目簽約落戶德州總投資50億元

總投資7006萬元，新康電子12 英寸晶圓分立半導(dǎo)體器件封裝測試擴(kuò)建項(xiàng)目驗(yàn)收

杰平方半導(dǎo)體碳化硅器件進(jìn)入量產(chǎn)

總投資10億元，碳化硅半導(dǎo)體器件生產(chǎn)項(xiàng)目簽約落戶嘉善

中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

總投資2億元，普拉斯汽車零部件及醫(yī)療器械檢測項(xiàng)目簽約西部重慶科學(xué)城

國內(nèi)首個(gè)6.5千伏碳化硅器件及高功率密度電力電子變壓器通過技術(shù)鑒定

CASICON晶體大會前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設(shè)月產(chǎn)6萬片8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線

CASICON晶體大會前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

參與2024慕尼黑上海電子展傳感器展區(qū)，探秘行業(yè)新一代發(fā)展！

士蘭微增資41.5億，建設(shè)8英寸SiC功率器件制造生產(chǎn)線

捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目簽約落戶蘇錫通園區(qū)

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