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極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

自主突破，九峰山實(shí)驗(yàn)室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

日本國立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

金剛石膜取得大突破！

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

鄭州發(fā)布支持政策 2025年全市新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1000億元

“芯”突破河大突破這類電子芯片“卡脖子”材料難題

重大突破！碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄：量子態(tài)保持超5秒，信號增強(qiáng)萬倍

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進(jìn)展

極具潛力的半導(dǎo)體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān)，超8瓦大功率InGaN藍(lán)光激光器取得突破性成果

重大突破！科學(xué)家發(fā)現(xiàn)“拱形”納米硅陽極可大大提高鋰離子電池容量

哈工大韓杰才院士團(tuán)隊(duì)在金剛石單晶領(lǐng)域取得重大科研突破

日本半導(dǎo)體的突破，2英寸氮化鎵單晶基板量產(chǎn)

我國碳基半導(dǎo)體制備材料研制獲重要突破

我國碳基半導(dǎo)體制備材料取得關(guān)鍵性突破

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