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中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

大連理工大學團隊：通過提高晶體質量增強 β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領域取得新進展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質結PN二極管

北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院微電子所在碳硅三維異質集成器件上取得進展

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術取得突破

中國科學院半導體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質量GaN單晶襯底

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學技術大學團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

中國科學技術大學在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中國科學院關于EDA技術創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

全球首發(fā)！復旦團隊研制二維半導體芯片“無極”

西安電子科技大學郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導體試產(chǎn)

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