无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

<i id="ggdce"></i>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

國際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

4H-SiC紫外光電探測(cè)器最新成果

SiC 動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法簡述

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題分析與設(shè)計(jì)建議

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南之PFC仿真

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第四部分)：DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

基于SiC逆變器的電動(dòng)汽車永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)研究

國際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國際首次超越SiC理論極限

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

直降7萬！特斯拉Model Y 要借SiC玩極致性價(jià)比？

碳化硅（SiC）技術(shù)，變革汽車車載充電的利器!

SiC賦能光伏與可再生能源功率轉(zhuǎn)換

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

第2頁/共3頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<dfn id="teuix"><var id="teuix"></var></dfn>

<em id="teuix"><sup id="teuix"></sup></em>