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晶飛半導體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

香港大學等聯(lián)合開發(fā)革命性鉆石制備技術(shù) 10秒產(chǎn)出2英寸金剛石晶圓

中欣晶圓12英寸BCD硅片產(chǎn)品取得技術(shù)突破

杭州鎵仁半導體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

鎵仁半導體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

北京大學王新強教授團隊：推動高功率UVC-LED晶圓進入低成本4英寸時代！

新進展！西安交通大學實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

鎵和半導體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

重大進展！中國團隊成功實現(xiàn)12英寸二維半導體晶圓批量制備技術(shù)

中科院科學家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進展

國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展！

成果上新！8英寸導電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破

國內(nèi)首家！廈門大學實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

臺灣中山大學突破6英寸碳化硅晶體生長！

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

山東大學成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

山東大學與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底制備

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

浙江大學50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進入美國高端市場

中電科45所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設(shè)備進入國內(nèi)主流產(chǎn)線

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