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金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學和武漢大學在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展

廈大曹陽教授團隊在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進展

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動下 PBN（熱解氮化硼）市場需求空間廣闊

南科大電子系化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

簡述氮化鎵的合成制備及展望

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺達電子篇

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

半導(dǎo)體所等研究團隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進展

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長界面研究方面取得新進展

北大材料學院劉磊課題組在六方氮化硼材料的制備及其同位素效應(yīng)研究中取得系列進展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

北大物理學院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運機制

中科院蘇州納米所團隊在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠程外延機理研究獲新進展

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進展

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