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中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在基于伊辛智能計(jì)算的光子集成電路快速重構(gòu)研究方面取得新進(jìn)展

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

廈門大學(xué)&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國科學(xué)院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究獲進(jìn)展

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體基日盲紫外探測領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

KAUST實(shí)現(xiàn)千伏級藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

Nature Photonics | 基于深紫外microLED顯示的無掩膜光刻技術(shù)與應(yīng)用示范

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團(tuán)隊(duì)研發(fā)基于全無機(jī)鈣鈦礦的多功能集成光子器件

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

中國科學(xué)家提出基于信號關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

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