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中國AI計(jì)算迎來重大突破!首批AGC架構(gòu)智算整機(jī)問世

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究

Luceda China總經(jīng)理曹如平：AI時(shí)代光電子集成電路設(shè)計(jì)新風(fēng)向

商務(wù)部：中美各取消91%關(guān)稅，各暫緩24%

商務(wù)部新聞發(fā)言人就中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明發(fā)表談話

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體董事長唐為華將做大會(huì)報(bào)告

中美日內(nèi)瓦經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁俊：新型多級(jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)

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CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

中美達(dá)成重要共識(shí)，5月12日發(fā)布聯(lián)合聲明

特朗普：對(duì)華關(guān)稅145%到頂了，要降

CSPSD 2025前瞻| 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所程新紅：寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

AI驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設(shè)備的多維探索

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CSPSD 2025前瞻|濟(jì)南大學(xué)張春偉：場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制：基于電荷的視角

會(huì)議通知 | 2025第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇

九峰山實(shí)驗(yàn)室2025技術(shù)服務(wù)體系發(fā)布

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

富士膠片計(jì)劃在印度建設(shè)半導(dǎo)體材料工廠

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

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