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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

中國(guó)科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

金剛石高溫日盲紫外探測(cè)器取得新進(jìn)展

晶圓級(jí)高精度倒裝鍵合機(jī)采購(gòu)招標(biāo)公告

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級(jí)功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

廈門大學(xué)-廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測(cè)器研究中取得重要突破

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級(jí)可集成量子存儲(chǔ)器

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

三星啟動(dòng)1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過(guò)調(diào)控電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測(cè)器

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測(cè)器研究中取得新進(jìn)展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中國(guó)科學(xué)院關(guān)于EDA技術(shù)創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

全球首發(fā)！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無(wú)極”

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導(dǎo)體試產(chǎn)

采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長(zhǎng)的（001）β-Ga2O3外延層

12英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)激光剝離

寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體基日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

中科院DUV光源新突破！

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國(guó)科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

清華大學(xué)化學(xué)系馬冬昕團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點(diǎn)深紅光器件

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